弗萊貝格MDPmap單晶和多晶片壽命測試設(shè)備用于*的各種復雜材料的研究[CdTe | InP | ZnS | SiC | GaAs | GaN | Ge]硅|化合物半導體|氧化物|寬帶隙材料|鈣鈦礦|外延
更新時間：2023-06-15
弗萊貝格MDPmap單晶和多晶片壽命測試設(shè)備
用于*的各種復雜材料的研究
[CdTe | InP | ZnS | SiC | GaAs | GaN | Ge]
硅|化合物半導體|氧化物|寬帶隙材料|鈣鈦礦|外延
弗萊貝格MDPmap單晶和多晶片壽命測試設(shè)備
產(chǎn)品性能
*材料的研究和開發(fā)
靈敏度: 對外延層監(jiān)控和不可見缺陷檢測，
具有可視化測試的分辨率
測試速度: < 5 minutes，6英寸硅片, 1mm分辨率
壽命測試范圍: 20ns到幾ms
玷污測試: 產(chǎn)生于坩堝和生產(chǎn)設(shè)備中的金屬沾污（Fe）
測試能力: 從切割的晶元片到所有工藝中的樣品
靈活性: 允許外部激發(fā)光與測試模塊進行耦合
可靠性: 模塊化緊湊型臺式檢測設(shè)備，使用時間 > 99%
重復性: > 99.5%
電阻率: 無需時常校準的電阻率面掃描
*材料的研究和開發(fā)
應用案例
+ 鐵濃度測定
+ 陷阱濃度測試
+ 硼氧濃度測試
+ 受注入濃影響的測試
常規(guī)壽命測試
+ 無接觸且非破壞的少子壽命成像測試：
(μPCD/MDP(QSS),光電導率，電阻率和p/n型檢測符合半導體行業(yè)標準 SEMI PV9-1110
+ 多可集成4個不同波長光源，具有大范圍可調(diào)的光注入水平，可對單點進行少子壽命的瞬態(tài)測試，
+ 可對單點進行少子壽命的瞬態(tài)測試，也可對晶圓片進行面掃
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